SS şu şekilde tanımlanır:
''''
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
''''
Neresi:
* $$V_{gs}$$ geçitten kaynağa voltajdır
* $$I_{ds}$$, kaynağa giden akımdır
SS tipik olarak on yılda bir milivolt cinsinden ölçülür. Daha düşük bir SS, daha verimli bir MOSFET'i gösterir çünkü drenaj akımını değiştirmek için daha az voltaj salınımı gerektirir.
SS, aşağıdakiler de dahil olmak üzere çeşitli faktörlerden etkilenir:
* Kapı oksit kalınlığı
* Kaynak ve drenaj bölgelerinin katkılanması
* Kanal uzunluğu
* Sıcaklık
Geçit oksit kalınlığı SS'yi etkileyen en önemli faktördür. Daha ince bir geçit oksidi daha düşük bir SS ile sonuçlanır. Bununla birlikte, daha ince bir kapı oksidi MOSFET'i bozulmaya karşı daha duyarlı hale getirir.
Kaynak ve drenaj bölgelerinin katkılanması da SS'yi etkiler. Daha yüksek bir doping konsantrasyonu daha düşük bir SS ile sonuçlanır. Bununla birlikte, daha yüksek bir katkı konsantrasyonu MOSFET'in parazit direncini de arttırır ve bu da performansını düşürebilir.
Kanal uzunluğu SS'yi etkileyen bir diğer önemli faktördür. Daha kısa bir kanal uzunluğu daha düşük bir SS ile sonuçlanır. Ancak daha kısa kanal uzunluğu MOSFET'i kısa kanal etkilerine karşı daha duyarlı hale getirir ve bu da performansını düşürebilir.
Sıcaklık aynı zamanda SS'yi de etkiler. Daha yüksek bir sıcaklık, daha yüksek bir SS ile sonuçlanır. Bunun nedeni, MOSFET'teki yük taşıyıcılarının hareketliliğinin sıcaklık arttıkça azalmasıdır, bu da MOSFET'in açık ve kapalı durumları arasında geçiş yapmasını zorlaştırır.
SS, MOSFET'ler için önemli bir değerdir çünkü açık ve kapalı durumlar arasında ne kadar verimli geçiş yapabildiklerini gösterir. MOSFET'in tasarımını optimize ederek, MOSFET'in performansını artırabilecek düşük bir SS elde etmek mümkündür.